我國(guó)《“十四五”規(guī)劃》中，明確提出要加快集成電路、芯片及半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，推動(dòng)計(jì)算芯片、存儲(chǔ)芯片等創(chuàng)新，加快集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，推動(dòng)絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破。布局戰(zhàn)略性前沿性技術(shù)。

中國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中將進(jìn)一步拓展芯片制造中的一些核心技術(shù)，將中國(guó)在芯片領(lǐng)域的短板一點(diǎn)一點(diǎn)地彌補(bǔ)，同時(shí)加快在國(guó)內(nèi)循環(huán)化的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的布局，真正實(shí)現(xiàn)擺脫西方國(guó)家主導(dǎo)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。這也讓中國(guó)真正實(shí)現(xiàn)了在半導(dǎo)體工業(yè)上從低端走向了高端，并且在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上占據(jù)主導(dǎo)地位，只有通過(guò)自身在核心技術(shù)上的突破，才能打破西方國(guó)家的封鎖，成為真正的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)國(guó)。

參展范圍：
一、半導(dǎo)體材料：?jiǎn)尉Ч琛⒐杵㈡N硅材料、S01材料、太陽(yáng)能電池用硅材料及化合物半導(dǎo)體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料等；
二、半導(dǎo)體設(shè)備：半導(dǎo)體封裝設(shè)備、半導(dǎo)體擴(kuò)散設(shè)備、半導(dǎo)體焊接設(shè)備、半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體制冷設(shè)備、半導(dǎo)體氧化設(shè)備等；
三、半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)等；
四、半導(dǎo)體光電器件；
五、IC產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)、IC測(cè)試方法與測(cè)試儀器、IC設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)工具、IC 制造與封裝；
六、集成電路終端產(chǎn)品；